Samsung начинает производство быстрейших накопителей для смартфонов стандарта eUFS 3.1 — THG

17 марта 2020, 13:33

Samsung объявил о старте производства первого в отрасли встроенного накопителя Universal Flash Storage 3.1 или eUFS 3.1, который в конечном итоге появится в будущих флагманских смартфонах. Это будет самый быстрый накопитель в отрасли. Стандарт eUFS 3.1 в три раза быстрее, чем стандарт eUFS 3.0 предыдущего поколения по скорости записи и может превышать барьер передачи данных в 1 ГБ/с.

Samsung начинает производство быстрейших накопителей

Если говорить о точных цифрах, то Samsung утверждает, что новый стандарт может достигать скорости последовательной записи более 1200 МБ/с. То есть для передачи около 100 ГБ данных потребуется всего 1,5 минуты. Такой уровень производительности в будущих флагманах сейчас кажется чем-то из ряда фантастики.

Samsung начинает производство быстрейших накопителей

Кроме быстрой передачи данных, новые накопители позволят в разы быстрее открывать приложения, а значит в целом положительно скажутся на производительности будущих смартфонов. Так, Samsung eUFS 3.1 на 512 ГБ сможет обеспечить пользователю 100 000 операций ввода-вывода в секунду для операций чтения и 70 000 операций ввода-вывода в секунду для операций записи.

В дополнение к хранилищам на 512 ГБ, Samsung будет производить память объемом 256 и 128 ГБ, которую, кстати, смогут использовать и другие производители смартфонов.

Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор смартфона BQ 6424L Magic O. Продукция российской компании BQ всегда подкупает соотношением цены и качества, а также активным внедрением в бюджетные аппараты технологии NFC, позволяющей использовать смартфон вместо банковской карты. Собственно, про один из подобных аппаратов компании мы сегодня и расскажем. Подробнее об этом читайте в статье «Обзор BQ 6424L Magic O: недорогой смартфон с NFC».

Читайте также:


  • Анонс WD Gold NVMe: новые твердотельные накопители для дата-центров
  • Анонс QNAP ES2486dc: первая СХД QNAP класса All-flash с двумя активными контроллерами
  • ADATA ISSS333 3D TLC PLP: твердотельный накопитель с технологией PLP
  • Анонс Patriot PXD m.2 PCIe Type-C: внешний SSD с дизайном обычной флешки
  • Анонс Transcend MTE452T и MTE662T: новые NVMe SSD на 96-слойной памяти BiCS4 3D NAND


  • Последние статьи на THG.ru









    Источник

    Поделиться ссылкой:

    READ  Компания BQ и ХК «Салават Юлаев» заключили договор о сотрудничестве - Mobile-review